Efeito da escória, calcário e nitrogênio na absorção de silício e na produção do capim-marandu

Abstract

Objetivou-se, com este estudo, avaliar os efeitos da escória comparados ao calcário na presença de nitrogênio quanto à disponibilidade de silício no solo, no crescimento e na absorção de Si pela Brachiaria brizantha. Desenvolveu-se o estudo em casa de vegetação, realizando dois cortes no capim-marandu. Os tratamentos utilizados foram duas fontes de material corretivo (escória de siderurgia de aciaria e calcário dolomítico), três doses de material corretivo (0,81; 1,61 e 3,22 g dm-3 de ECaCO3), três doses de nitrogênio (75, 150 e 300 mg dm-3) e uma testemunha absoluta. Determinou-se a concentração de Si disponível no solo, a massa seca e os teores de Si e de N na parte aérea da forrageira. Verificou-se que as doses de escória aumentaram as concentrações de Si no solo e na planta, diminuindo, porém, o acúmulo de N no capim. O calcário não afetou a absorção de Si no primeiro corte, porém, diminuiu no segundo. A adubação nitrogenada associada à escória incrementa a produção de massa seca e a absorção de Si pelo capim-marandu.

This research was carried out in greenhouse conditions with the objective to evaluate the effects of slag and lime plus nitrogen on the soil silicon availability and growth and silicon absorption and growth of marandu palisadegrass (Brachiaria brizantha), with two cuts. The treatments were two corrective material types (slag and lime), three corrective material rates (0.81; 1.61 and 3.22 g dm-3 of ECaCO3), three nitrogen rates (75, 150 and 300 mg dm-3) plus a control treatment, with four replications. The evaluated parameters were: available soil silicon, dry matter production and shoot silicon and nitrogen. Slag rates increased soil and plant silicon contents, but decreased plant nitrogen contents. Plant silicon uptake was not affected by lime in the first cutting, but it was reduced in the second cutting. Nitrogen fertilization plus slag increased dry matter yield and plant silicon contents.