Você está no menu de acessibilidade

Utilize este identificador para citar ou criar um link para este item: http://acervodigital.unesp.br/handle/11449/130183
Título: 
Heterojunction between Al2O3 and SnO2 thin films for application in transparent FET
Autor(es): 
Instituição: 
  • Universidade Estadual Paulista (UNESP)
  • Centro Universitário Eurípedes de Marília (UNIVEM)
ISSN: 
1516-1439
Financiador: 
  • Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)
  • Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)
  • Fundação para o Desenvolvimento da UNESP (FUNDUNESP)
Número do financiamento: 
FUNDUNESP: 91312/13-DFP
Resumo: 
Alternative materials for use in electronic devices have grown interest in the past recent years. In this paper, the heterojunction SnO2/Al2O3 is tested concerning its use as a transparent insulating layer for use in FETs. The alumina layer is obtained by thermal annealing of metallic Al layer, deposited by resistive evaporation technique. Combination of undoped SnO2, deposited by sol-gel-dip-coating technique, and Al thermally annealed in O-2-rich atmosphere, leads to fair insulation when the number of aluminum oxide layers is 4, with 0.3% of the current lost through the gate terminal as leakage current. This insulation is not obtained for devices with alumina layer treated for long time, under room atmosphere, due to degradation of the insulating film and interfusion with the conduction channel even using Sb-doped SnO2. The annealing of Al deposited on soda-lime glass substrate leads also to the formation of a Si layer, crystallized at Substrate/Al2O3 interface. The conclusion is that for an efficient insulation the thermal annealing must be short and then, O-2-rich atmospheres are preferred.
Data de publicação: 
1-Nov-2014
Citação: 
Materials Research-ibero-american Journal Of Materials. Sao Carlos: Univ Fed Sao Carlos, Dept Engenharia Materials, v. 17, n. 6, p. 1420-1426, 2014.
Duração: 
1420-1426
Publicador: 
Univ Fed Sao Carlos, Dept Engenharia Materials
Palavras-chaves: 
  • Aluminum oxide
  • Heterojunction
  • Tin dioxide
  • FET
Fonte: 
http://www.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1516-14392014000600009&lng=en&nrm=iso&tlng=en
Endereço permanente: 
Direitos de acesso: 
Acesso aberto
Tipo: 
outro
Fonte completa:
http://repositorio.unesp.br/handle/11449/130183
Aparece nas coleções:Artigos, TCCs, Teses e Dissertações da Unesp

Não há nenhum arquivo associado com este item.
 

Itens do Acervo digital da UNESP são protegidos por direitos autorais reservados a menos que seja expresso o contrário.