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Utilize este identificador para citar ou criar um link para este item: http://acervodigital.unesp.br/handle/11449/25011
Título: 
Thermal dependence of the zero-bias conductance through a nanostructure
Autor(es): 
Instituição: 
  • Universidade de São Paulo (USP)
  • Universidade de Brasília (UnB)
  • Universidade Estadual Paulista (UNESP)
ISSN: 
0295-5075
Financiador: 
  • Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)
  • IBEM
Número do financiamento: 
  • FAPESP: 01/14974-0
  • FAPESP: 04/08928-3
Resumo: 
We show that the conductance of a quantum wire side-coupled to a quantum dot, with a gate potential favoring the formation of a dot magnetic moment, is a universal function of the temperature. Universality prevails even if the currents through the dot and the wire interfere. We apply this result to the experimental data of Sato et al. (Phys. Rev. Lett., 95 (2005) 066801). Copyright (C) EPLA, 2009
Data de publicação: 
1-Jun-2009
Citação: 
Epl. Les Ulis Cedex A: Edp Sciences S A, v. 86, n. 6, p. 6, 2009.
Duração: 
6
Publicador: 
Edp Sciences S A
Fonte: 
http://dx.doi.org/10.1209/0295-5075/86/67006
Endereço permanente: 
Direitos de acesso: 
Acesso restrito
Tipo: 
outro
Fonte completa:
http://repositorio.unesp.br/handle/11449/25011
Aparece nas coleções:Artigos, TCCs, Teses e Dissertações da Unesp

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