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Utilize este identificador para citar ou criar um link para este item: http://acervodigital.unesp.br/handle/11449/25461
Título: 
Characterization of lanthanum-doped bismuth titanate thin films prepared by polymeric precursor method
Autor(es): 
Instituição: 
  • Universidade Estadual Paulista (UNESP)
  • University of Belgrade
  • Universidade Federal de São Carlos (UFSCar)
ISSN: 
0167-577X
Resumo: 
Lanthanum-modified bismuth titanate, Bi4-xLaxTi3O12 (BLT), with x ranging from 0 to 0.75 was grown on Pt/Ti/SiO2/Si substrates using a polymeric precursor solution and spin-coating method. The dielectric constant of highly doped bismuth titanate was equal to 148 while dielectric losses remained low (tan delta = 0.0018), and the films showed well-saturated polarization-electric field curves (2P(r) = 40.6 muC/cm(2) and V-c = 0.99 V). The leakage current densities improve for the lanthanum-doped system. For five-layered BLT films with x = 0.75, a charge storage density of 35 fC/mum(2) and a thickness of 320 nm were found. (C) 2004 Elsevier B.V. All rights reserved.
Data de publicação: 
1-Set-2004
Citação: 
Materials Letters. Amsterdam: Elsevier B.V., v. 58, n. 22-23, p. 2842-2847, 2004.
Duração: 
2842-2847
Publicador: 
Elsevier B.V.
Palavras-chaves: 
  • crystal structure
  • dielectrics
  • ferroelectrics
  • thin films
Fonte: 
http://dx.doi.org/10.1016/j.matlet.2004.04.025
Endereço permanente: 
Direitos de acesso: 
Acesso restrito
Tipo: 
outro
Fonte completa:
http://repositorio.unesp.br/handle/11449/25461
Aparece nas coleções:Artigos, TCCs, Teses e Dissertações da Unesp

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