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Utilize este identificador para citar ou criar um link para este item: http://acervodigital.unesp.br/handle/11449/25541
Título: 
Doping saturation in dye-sensitized solar cells based on ZnO:Ga nanostructured photoanodes
Autor(es): 
Instituição: 
  • Univ Jaume 1
  • Universidade Estadual Paulista (UNESP)
  • Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
  • Osaka Univ
ISSN: 
0013-4686
Financiador: 
  • Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)
  • Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)
  • Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
  • ESF
  • MCIN
  • MEC
  • Generalitat Valenciana
Número do financiamento: 
  • FAPESP: 09/14713-3
  • FAPESP: 04/14829-8
  • CNPq: 201516/2007-1
  • CNPq: 141215/2006-2
  • CAPES: 199/09
  • CAPES: PDEE 1089/06-4
  • MEC: PHB-2008-040-PC
  • Generalitat Valenciana: PROMETEO/2009/058
Resumo: 
The origins of the performance of dye-sensitized solar cells based on ZnO:Ga nanostructured photoelectrodes, compared to analogous ZnO solar cells, were studied by means of impedance spectroscopy under illumination as a function of forward bias voltage. The film capacitance is governed by Ga doping. It can be assumed that the higher donor density of states of ZnO materials and, principally. ZnO:Ga-doped materials pin the Fermi level at a certain shallow energy level so that there is no photovoltage variation as a function of doping level. on the other hand, short circuit current is determined by the increasing roughness factor obtained at the higher doping levels while the lower fill factor values of DSCs based on ZnO:Ga, compared to analogous ZnO, were attributed to the higher ohmic resistive losses associated with the increasing photocurrent densities. In any case, the microstructure and morphological aspects were also considered as a possible origin of the low fill factor values. The estimated donor density level exceeds 10(21) cm(-3), indicating a high doping level in the semiconductor. As a consequence of the synthesis process of ZnO:Ga nanoparticles its size diminishes with the higher Ga contents producing an increase in the overall roughness factor of the films, and then a larger dye upload and short circuit current. (C) 2011 Elsevier Ltd. All rights reserved.
Data de publicação: 
15-Jul-2011
Citação: 
Electrochimica Acta. Oxford: Pergamon-Elsevier B.V. Ltd, v. 56, n. 18, p. 6503-6509, 2011.
Duração: 
6503-6509
Publicador: 
Pergamon-Elsevier B.V. Ltd
Palavras-chaves: 
  • DSC
  • ZnO
  • Nanoparticles
  • Renewable energy
  • Electrochemical impedance spectroscopy
Fonte: 
http://dx.doi.org/10.1016/j.electacta.2011.05.003
Endereço permanente: 
Direitos de acesso: 
Acesso restrito
Tipo: 
outro
Fonte completa:
http://repositorio.unesp.br/handle/11449/25541
Aparece nas coleções:Artigos, TCCs, Teses e Dissertações da Unesp

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