Você está no menu de acessibilidade

Utilize este identificador para citar ou criar um link para este item: http://acervodigital.unesp.br/handle/11449/33074
Título: 
Electro-optical properties of Er-doped SnO2 thin films
Autor(es): 
Instituição: 
  • Universidade Estadual Paulista (UNESP)
  • Universidade de São Paulo (USP)
ISSN: 
0955-2219
Resumo: 
Photoconductivity of SnO2 sol-gel films is excited, at low temperature, by using a 266 nm line-fourth harmonic-of a Nd:YAG laser. This line has above bandgap energy and promotes generation of electron-hole pairs, which recombines with oxygen adsorbed at grain boundary. The conductivity increases up to 40 times. After removing the illumination on an undoped SnO2 film, the conductivity remains unchanged, as long as the temperature is kept constant. Adsorbed oxygen ions recombine with photogenerated holes and are continuously evacuated from the system, leaving a net concentration of free electrons into the material, responsible for the increase in the conductivity. For Er doped SnO2, the excitation of conductivity by the laser line has similar behavior, however after removing illumination, the conductivity decreases with exponential-like decay. (C) 2003 Elsevier Ltd. All rights reserved.
Data de publicação: 
1-Jan-2004
Citação: 
Journal of the European Ceramic Society. Oxford: Elsevier B.V., v. 24, n. 6, p. 1857-1860, 2004.
Duração: 
1857-1860
Publicador: 
Elsevier B.V.
Palavras-chaves: 
  • erbium doping
  • oxygen adsorption
  • photoconductivity
  • tin dioxide films
Fonte: 
http://dx.doi.org/10.1016/S0955-2219(03)00515-6
Endereço permanente: 
Direitos de acesso: 
Acesso restrito
Tipo: 
outro
Fonte completa:
http://repositorio.unesp.br/handle/11449/33074
Aparece nas coleções:Artigos, TCCs, Teses e Dissertações da Unesp

Não há nenhum arquivo associado com este item.
 

Itens do Acervo digital da UNESP são protegidos por direitos autorais reservados a menos que seja expresso o contrário.