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Utilize este identificador para citar ou criar um link para este item: http://acervodigital.unesp.br/handle/11449/34603
Título: 
Effect of Ta2O5 doping on the electrical properties of 0.99SnO(2)center dot 0.01CoO ceramic
Autor(es): 
Instituição: 
  • Univ Estadual Ponta Grossa
  • Universidade Federal de São Carlos (UFSCar)
  • Universidade Estadual Paulista (UNESP)
ISSN: 
0022-2461
Resumo: 
The effect of Ta2O5 doping in 0.99SnO(2). 0.01CoO on the microstructure and electrical properties of this ceramic were analyzed in this study. The grain size was found to decrease from 6.87 mu m to 5.68 mu m when the Ta2O5 concentration increased from 0.050 to 0.075 mol%. DC electrical characterization showed a dramatic increase in the current loss and decrease in the non-linear coefficient with the increase of the Ta2O5 concentration. The conduction mechanism is by thermionic emission and the potential barriers are of Schottky type, separated by a thin film. (C) 2000 Kluwer Academic Publishers.
Data de publicação: 
1-Jan-2000
Citação: 
Journal of Materials Science. Dordrecht: Kluwer Academic Publ, v. 35, n. 6, p. 1453-1458, 2000.
Duração: 
1453-1458
Publicador: 
Kluwer Academic Publ
Fonte: 
http://dx.doi.org/10.1023/A:1004748006457
Endereço permanente: 
Direitos de acesso: 
Acesso restrito
Tipo: 
outro
Fonte completa:
http://repositorio.unesp.br/handle/11449/34603
Aparece nas coleções:Artigos, TCCs, Teses e Dissertações da Unesp

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