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Utilize este identificador para citar ou criar um link para este item: http://acervodigital.unesp.br/handle/11449/39325
Título: 
Effect of spin-polarized subbands in the inhomogeneous hole gas providing the indirect exchange in GaMnAs bilayers
Autor(es): 
Instituição: 
  • Universidade Estadual Paulista (UNESP)
  • Univ Paris 06
ISSN: 
0304-8853
Resumo: 
The magnetic order resulting from the indirect exchange in the metallic phase of a (Ga,Mn)As/GaAs double layer structure is studied via Monte Carlo simulation. The polarization of the hole gas is taken into account, establishing a self-consistency between the magnetic order and the electronic structure. The Curie-Weiss temperatures calculated for these low-dimensional systems are in the range of 50-80 K, and the dependence of the transition temperature with the GaAs separation layer is established. (C) 2003 Published by Elsevier B.V.
Data de publicação: 
1-Mai-2004
Citação: 
Journal of Magnetism and Magnetic Materials. Amsterdam: Elsevier B.V., v. 272, p. 351-352, 2004.
Duração: 
351-352
Publicador: 
Elsevier B.V.
Palavras-chaves: 
  • diluted magnetic semiconductor
  • (Ga,Mn)As
  • spintronics
Fonte: 
http://dx.doi.org/10.1016/j.jmmm.2003.11.383
Endereço permanente: 
Direitos de acesso: 
Acesso restrito
Tipo: 
outro
Fonte completa:
http://repositorio.unesp.br/handle/11449/39325
Aparece nas coleções:Artigos, TCCs, Teses e Dissertações da Unesp

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