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Utilize este identificador para citar ou criar um link para este item: http://acervodigital.unesp.br/handle/11449/9420
Título: 
Electric and dielectric behavior of CaCu3Ti4O12-based thin films obtained by soft chemical method
Autor(es): 
Instituição: 
Universidade Estadual Paulista (UNESP)
ISSN: 
0925-8388
Financiador: 
Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)
Resumo: 
CaCu3Ti4O12 (stoichiometric) and Ca1.1Cu2.9Ti4O12 (non-stoichiometric) thin films have been prepared by the soft chemical method on Pt/Ti/SiO2/Si substrates, and their electrical and dielectric properties have been compared as a function of the annealing temperature. The crystalline structure and the surface morphology of the films were markedly affected by the annealing temperature and excess calcium. The films show frequency-independent dielectric properties at room temperature which is similar to those properties obtained in single-crystal or epitaxial thin films. The room temperature dielectric constant of the 570-nm-thick CCTO thin films annealed at 600 degrees C at 10 kHz was found to be 124. The best non-ohmic behavior (alpha = 12.6) presented by the film with excess calcium annealed at 500 degrees C. Resistive hysteresis on the I-V curves was observed which indicates these films can be used in resistance random access memory (ReRAM). Published by Elsevier B.V.
Data de publicação: 
13-Out-2011
Citação: 
Journal of Alloys and Compounds. Lausanne: Elsevier B.V. Sa, v. 509, n. 41, p. 9930-9933, 2011.
Duração: 
9930-9933
Publicador: 
Elsevier B.V. Sa
Palavras-chaves: 
  • CCTO
  • Thin films
  • Electrical properties
  • Dielectric properties
Fonte: 
http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2011.07.098
Endereço permanente: 
Direitos de acesso: 
Acesso restrito
Tipo: 
outro
Fonte completa:
http://repositorio.unesp.br/handle/11449/9420
Aparece nas coleções:Artigos, TCCs, Teses e Dissertações da Unesp

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