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Please use this identifier to cite or link to this item: http://acervodigital.unesp.br/handle/11449/136473
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dc.contributor.advisorPontes, Fenelon Martinho Lima [UNESP]-
dc.contributor.authorCapeli, Regina Aparecida-
dc.date.accessioned2016-03-31T13:29:48Z-
dc.date.accessioned2016-10-25T21:35:03Z-
dc.date.available2016-03-31T13:29:48Z-
dc.date.available2016-10-25T21:35:03Z-
dc.date.issued2016-03-04-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11449/136473-
dc.identifier.urihttp://acervodigital.unesp.br/handle/11449/136473-
dc.description.abstractIn this paper the citrates polymerized solutions with high chemical homogeneity of compounds of Perovskite structure composite systems Pb0,76Ca0,24TiO3(PCT24) e LaNiO3(LNO) were applied to prepare thin films textured/epitaxial. It was made the growth of PCT24 on LNO thin films deposited on single crystal substrates such as on LaAlO3 (100), LaAlO3 (001) and LaAlO3 (111) for verification of texturing and its preferred orientation. The dependence of the dielectric/ferroelectric and electronic transport properties with respect to texturing properties were evaluated for the formation of electronic devices for thin films PCT24 and LNO, respectively. It was also performed a comparative study of electrical properties of thin films with LNO base electrode and platinum. The effects of the arrangement and orientation of the ferroelectric domains as well as texturing, the electrical properties of ferroelectric films were evaluated and correlated with the crystallographic characteristics, microstructure and stoichiometric (chemical composition) of materials. Therefore, the possibility of obtaining ferroelectric this material opens a new front of research and perspectives with respect to the same job in different types of electronic devices.pt
dc.description.abstractNeste trabalho as soluções de citratos polimerizados com alto grau de homogeneidade química de compostos de estrutura perovisquita dos sistemas Pb0,76Ca0,24TiO3(PCT24) e LaNiO3(LNO) foram aplicadas para preparar filmes finos texturizados/epitaxiais. Foi feito o crescimento de filmes finos PCT24 sobre LNO depositados sobre substratos monocristalinos tais como LaAlO3(100), LaAlO3(001) e LaAlO3(111) para verificação da texturização e sua orientação preferencial. A dependência das propriedades dielétricas/ferroelétricas e das propriedades de transporte eletrônico com relação a texturização foram avaliadas para a formação dos dispositivos eletrônicos para os filmes finos PCT24 e LNO, respectivamente. Também foi realizado o estudo comparativo das propriedades elétricas dos filmes finos com eletrodo de base de LNO e de platina. Os efeitos da disposição e orientação dos domínios ferroelétricos bem como da texturização, nas propriedades elétricas de filmes ferroelétricos foram avaliados e correlacionados com as características cristalográficas, microestruturais e estequiométricas (composição química) dos materiais. Portanto, a possibilidade de obtenção de cerâmicas ferroelétricas deste material abre uma nova frente de pesquisas e perspectivas com relação ao emprego do mesmo em diversos tipos de dispositivos eletrônicos.en
dc.description.sponsorshipFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)-
dc.language.isopor-
dc.publisherUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
dc.subjectFilmes finospt
dc.subjectPerovisquitapt
dc.subjectFerroelétricospt
dc.subjectThin filmsen
dc.subjectPerovskiteen
dc.subjectFerroelectricsen
dc.titleCrescimento epitaxial e caracterização de filmes finos: óxidos condutores e ferroelétricos preparados por deposição de solução químicapt
dc.title.alternativeEpitaxial growth and characterization of thin films, conductive and ferroelectric oxides prepared by chemical solution depositionen
dc.typeoutro-
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual Paulista (UNESP)pt
dc.description.sponsorshipIdFAPESP: 2013/26488-0-
dc.rights.accessRightsAcesso restrito-
dc.identifier.aleph000871382pt
dc.identifier.capes33004056083P7-
Appears in Collections:Artigos, TCCs, Teses e Dissertações da Unesp

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