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Utilize este identificador para citar ou criar um link para este item: http://acervodigital.unesp.br/handle/11449/22850
Título: 
Deposition of SiOx Thin Films on Y-TZP by Reactive Magnetron Sputtering: Influence of Plasma Parameters on the Adhesion Properties Between Y-TZP and Resin Cement for Application in Dental Prosthesis
Autor(es): 
Instituição: 
  • Universidade Estadual Paulista (UNESP)
  • Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA)
  • Universidade Federal da Paraíba (UFPB)
ISSN: 
1516-1439
Financiador: 
  • Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)
  • Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)
  • Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)
Resumo: 
In this paper SiOx thin films were deposited on Y-TZP ceramics by reactive magnetron sputtering technique in order to improve the adhesion properties between Y-TZP and resin cement for applications in dental prosthesis. For fixed cathode voltage, target current, working pressure and target-to-substrate distance, SiOx thin films were deposited at different oxygen concentrations in the Ar+O-2 plasma forming gas. After deposition processes, SiOx thin films were characterized by profilometry, energy dispersive spectroscopy (EDS), optical microscopy and scanning electron microscopy (SEM). Adhesion properties between Y-TZP and resin cement were evaluated by shear testing. Results indicate that films deposited at 20%O-2 increased the bond strength to (32.8 +/- 5.4) MPa. This value has not been achieved by traditional methods.
Data de publicação: 
1-Abr-2011
Citação: 
Materials Research-ibero-american Journal of Materials. São Carlos: Universidade Federal de São Carlos (UFSCar), Dept Engenharia Materials, v. 14, n. 2, p. 212-216, 2011.
Duração: 
212-216
Publicador: 
Universidade Federal de São Carlos (UFSCar), Dept Engenharia Materials
Palavras-chaves: 
  • Y-TZP
  • dental material
  • thin films
  • silicon oxide
Fonte: 
http://dx.doi.org/10.1590/S1516-14392011005000032
Endereço permanente: 
Direitos de acesso: 
Acesso aberto
Tipo: 
outro
Fonte completa:
http://repositorio.unesp.br/handle/11449/22850
Aparece nas coleções:Artigos, TCCs, Teses e Dissertações da Unesp

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