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Utilize este identificador para citar ou criar um link para este item: http://acervodigital.unesp.br/handle/11449/39345
Título: 
Electrostatic force microscopy as a tool to estimate the number of active potential barriers in dense non-Ohmic polycrystalline SnO2 devices
Autor(es): 
Instituição: 
  • Centro Federal de Educação Tecnológica (CEFET)
  • Universidade Estadual Paulista (UNESP)
  • Universidade Federal de São Carlos (UFSCar)
ISSN: 
0003-6951
Resumo: 
In the present work, electroactive grain boundaries of highly dense metal oxide SnO2-based polycrystalline varistors were determined by electrostatic force microscopy (EFM). The EFM technique was applied to identify electroactive grain boundaries and thus estimate the amount of active grain boundary, which, in the metal oxide SnO2-based varistor, was calculated at around 85%, i.e., much higher than that found in traditional metal oxide ZnO-based varistors. The mean potential barrier height value obtained from the EFM analysis was in complete agreement with the values calculated from the C-V measurements, together with a complex capacitance plane analysis that validates the methodology proposed here. (c) 2006 American Institute of Physics.
Data de publicação: 
9-Out-2006
Citação: 
Applied Physics Letters. Melville: Amer Inst Physics, v. 89, n. 15, 3 p., 2006.
Duração: 
3
Publicador: 
American Institute of Physics (AIP)
Fonte: 
http://dx.doi.org/10.1063/1.2354483
Endereço permanente: 
Direitos de acesso: 
Acesso restrito
Tipo: 
outro
Fonte completa:
http://repositorio.unesp.br/handle/11449/39345
Aparece nas coleções:Artigos, TCCs, Teses e Dissertações da Unesp

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