Você está no menu de acessibilidade

Utilize este identificador para citar ou criar um link para este item: http://acervodigital.unesp.br/handle/11449/6851
Título: 
Determining the interfacial density of states in metal-insulator-semiconductor devices based on poly(3-hexylthiophene)
Autor(es): 
Instituição: 
  • Bangor Univ
  • Universidade Estadual Paulista (UNESP)
ISSN: 
0003-6951
Resumo: 
Low frequency admittance measurements are used to determine the density of interface states in metal-insulator-semiconductor diodes based on the unintentionally doped, p-type semiconductor poly(3-hexylthiophene). After vacuum annealing at 90 degrees C, interface hole trapping states are shown to be distributed in energy with their density decreasing approximately linearly from similar to 20x10(10) to 5x10(10) cm(-2) eV(-1) over an energy range extending from 0.05 to 0.25 eV above the bulk Fermi level. (c) 2008 American Institute of Physics.
Data de publicação: 
10-Mar-2008
Citação: 
Applied Physics Letters. Melville: Amer Inst Physics, v. 92, n. 10, p. 3, 2008.
Duração: 
3
Publicador: 
American Institute of Physics (AIP)
Fonte: 
http://dx.doi.org/10.1063/1.2897238
Endereço permanente: 
http://hdl.handle.net/11449/6851
Direitos de acesso: 
Acesso aberto
Tipo: 
outro
Fonte completa:
http://repositorio.unesp.br/handle/11449/6851
Aparece nas coleções:Artigos, TCCs, Teses e Dissertações da Unesp

Não há nenhum arquivo associado com este item.
 

Itens do Acervo digital da UNESP são protegidos por direitos autorais reservados a menos que seja expresso o contrário.