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Please use this identifier to cite or link to this item: http://acervodigital.unesp.br/handle/11449/99682
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dc.contributor.advisorScalvi, Luíz Vicente de Andrade [UNESP]-
dc.contributor.authorSilva, Marcelo Rodrigues da-
dc.date.accessioned2014-06-11T19:30:18Z-
dc.date.accessioned2016-10-25T19:23:55Z-
dc.date.available2014-06-11T19:30:18Z-
dc.date.available2016-10-25T19:23:55Z-
dc.date.issued2012-07-06-
dc.identifier.citationSILVA, Marcelo Rodrigues da. Investigação das propriedades elétricas, ópticas e eletroquímicas de filmes finos semicondutores de BiVO4 e NiO para aplicação em fotoeletrocatálise. 2012. 157 f. Tese (doutorado) - Universidade Estadual Paulista, Faculdade de Ciências, 2012.-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11449/99682-
dc.identifier.urihttp://acervodigital.unesp.br/handle/11449/99682-
dc.description.abstractOs semicondutores BiVO4 e NiO vem sendo bastante estudados nos últimos anos para aplicação em fotoeletrocálise, mais especificamente na degradação de poluentes orgânicos em meio aquoso, implicando em sustentabilidade ambiental. Neste trabalho, estes materiais foram obtidos na forma de filmes finos pelas técnicas: Síntese de Combustão em Solução e Co-precipatação, combinadas ao processo de deposição via molhamento (dip-coating). A composição, microestrutura e morfologia dos filmes foram avaliadas por TG-DTA, DTX e MEV. Os resultados de TG-DTA e DRX permitiram verificar a temperatura de formação das classes desejadas, 287ºC para o BiVO4 e 305ºC NiO. Imagens MEV mostram que os filmes são compostos por partículas de formato aproximadamente eférico, com boa dispersão sobre o suporte. Espectros UV-VIS mostraram que filmes de BiVO4 absorvem na região do visível com bandgap da ordem de 2,5 eV, e filmes de NiO absorvem no ultravioleta no ultravioleta com bandgap da ordem de 3,0 eV. A caracterização elétrica, trouxe resultados surpreendentes, particularmente no filme de NiO, onde iluminação com luz de energia acima do gap aumentou a resistividade do material, o que está ligado a variâncias de Ni2+. A caracterização eletroquímica, realizada por voltametria cíclica e cronoamperometria, mostrou que ambos os filmes respondem à excitação à excitação com luz de determinado comprimento de onda, além de apresentar estabilidade na corrente fotogerada. Ambos os filmes se mostraram eletroativos frente à reação de degradação do azul de metileno, sendo que na presença de luz ocorre a maior degradação. Um eletrodo com heterojunção p-n foi confeccionado utilizando estes dois materiais. O eletrodo FTO/p-NiO/n-BiVO4 apresentou excelente desempenho frente à degradação do azul de metileno, em...pt
dc.description.abstractThe semiconductor BiVO4 and NiO have been extensively studied in recent years for the photoelectrocatalysis application, more specifically in the organics polluants degradation in aqueous solution, which leads to sustainability environment. In this work, these materials were obtained in the form of thin films by Solution Combustion Systhesis and co-precipitation techniques, combinee with the dip-coating deposition process. The composition, microstructure and morphology of these films was evaluated by TG-DTA, XRD and SEM. TG-DTA and XRD results were important to verify the temperature of the desired phase formation, which tuned out as 287ºC and 305ºC for the BiVO4 and NiO, respectively. SEM images show that the films consist of spherical particles with good dispersion on the support . UV-VIS Spectroscopy, have shown that BiVO4 thin film absorbs in the viable region with bandage energy of about 2.5 eV, whereas the NiO thin film absorbs in the ultraviolet region with bandagap energy about 3.0 eV. The electrical characterization has shown striking results, particularly on the NiO film, where irradiation with above bandgap light leads to a resistivity increase, which was related to the presence of Ni2+ vacancies. The electrochemical characterization, carried out by cyclic voltammetry and chronoamperometry, has shown that both the films respond to excitation with light of specific wavelength and provides stability in the photocurrent. Both the films are electroactive in the methylene blue dedradation reaction and that the greatest degradation takes place in the presence of light. A p-n heterojunction electrode was made using these two materials. The FTO/p-NiO/n-BiVO4, electrode showed excellent performance in the methylene blue degradation in different electrolytes under visible and UV light ilumination. The percentages of... (Complete abstract click electronic access below)en
dc.description.sponsorshipCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)-
dc.format.extent157 f. : il.-
dc.language.isopor-
dc.publisherUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
dc.sourceAleph-
dc.subjectSemicondutorespt
dc.subjectPoluentes organicos aquaticospt
dc.subjectFilmes finospt
dc.subjectEletroquimicapt
dc.subjectOrganic water pollutantspt
dc.subjectThin filmspt
dc.subjectElectrochemistrypt
dc.titleInvestigação das propriedades elétricas, ópticas e eletroquímicas de filmes finos semicondutores de BiVO4 e NiO para aplicação em fotoeletrocatálisept
dc.typeoutro-
dc.contributor.institutionUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
dc.rights.accessRightsAcesso aberto-
dc.identifier.filesilva_mr_dr_bauru.pdf-
dc.identifier.aleph000703849-
dc.identifier.capes33004056083P7-
Appears in Collections:Artigos, TCCs, Teses e Dissertações da Unesp

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