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Utilize este identificador para citar ou criar um link para este item: http://acervodigital.unesp.br/handle/11449/117065
Título: 
Geometry effects on the electronic properties of multi-open dots structures
Autor(es): 
Instituição: 
  • Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
  • Universidade Estadual Paulista (UNESP)
ISSN: 
0018-9383
Resumo: 
In this paper we show that the electronic properties of multi-open dots structures are strongly modified by even smalt changes in their geometries. Our discussion of these effects is done in terms of the interaction among localized states (dot-like) and extended states (channel-like), from which a Fano resonance situation arises.
Data de publicação: 
1-Nov-1998
Citação: 
Ieee Transactions On Electron Devices. New York: Ieee-inst Electrical Electronics Engineers Inc, v. 45, n. 11, p. 2361-2364, 1998.
Duração: 
2361-2364
Publicador: 
Ieee-inst Electrical Electronics Engineers Inc
Palavras-chaves: 
  • quantum dots
  • quantum effect semiconductor devices
  • quantum wires
  • resonant tunneling devices
Fonte: 
http://dx.doi.org/10.1109/16.726657
Endereço permanente: 
Direitos de acesso: 
Acesso restrito
Tipo: 
outro
Fonte completa:
http://repositorio.unesp.br/handle/11449/117065
Aparece nas coleções:Artigos, TCCs, Teses e Dissertações da Unesp

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