Effective aspect-ratio and gate-capacitance in circular geometry MOS transistors

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Título:

Autor(es):

DeLima, J. A.

Instituição:

Universidade Estadual Paulista (UNESP)

ISSN:

0038-1101

Data de publicação:

1-Out-1996

Citação:

Solid-state Electronics. Oxford: Pergamon-Elsevier B.V., v. 39, n. 10, p. 1524-1525, 1996.

Duração:

1524-1525

Publicador:

Elsevier B.V.

Fonte:

http://dx.doi.org/10.1016/0038-1101(96)00043-3

Endereço permanente:

Direitos de acesso:

Acesso restrito

Tipo:

outro

Fonte completa:

http://repositorio.unesp.br/handle/11449/37896

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